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全球快資訊:濫設障礙 美國宣布升級超寬禁帶半導體材料等技術(shù)出口限制


(資料圖片)

當?shù)貢r間周五,美國商務部工業(yè)與安全局(BIS)在聯(lián)邦公報上披露了一項出口限制加碼的臨時最終決定,涉及先進半導體、渦輪發(fā)動機等領域。

(來源:聯(lián)邦公報)

根據(jù)公報,工業(yè)與安全局決定對《商務部管制清單》(CCL)和《出口管理條例》(EAR)同步實施修訂,對四項技術(shù)實施管制。

美國商務部主管工業(yè)與安全的副部長Alan Estevez介紹稱,使半導體和發(fā)動機等技術(shù)能夠更快、更高效、更長時間,以及在更惡劣條件下運行的科技進步,可能會在商業(yè)和軍事環(huán)境中“改變游戲規(guī)則”。

據(jù)悉,此次被升級出口管制的技術(shù)包括:

寬禁帶半導體材料氧化鎵(Ga2O3)和金剛石:氮化鎵和碳化硅是生產(chǎn)復雜的微波、毫米波設備,或大功率半導體器件的主要材料。而氧化鎵和金剛石有潛力能制造出更加復雜的設備,同時能耐受更高的電壓或溫度。

開發(fā)GAAFET(全柵場效應晶體管)結(jié)構(gòu)集成電路的ECAD軟件:電子計算機輔助軟件(EDA/ECAD),用于設計、分析、優(yōu)化和驗證集成電路或印刷電路板的性能。作為FinFET的繼任者,GAAFET(全柵場效應晶體管)被視為量產(chǎn)3nm及以下工藝制程的關鍵技術(shù)。BIS也在征求公眾意見,以決定哪些ECAD的具體功能特別適用于設計GAAFET電路,以確保美國政府能夠有效實施這項管制。

壓力增益燃燒技術(shù)(PGC):這項技術(shù)有潛力能提高燃氣渦輪發(fā)動機10%以上效率,潛在影響航空航天、火箭和超高音速導彈系統(tǒng)。PGC技術(shù)利用多種物理現(xiàn)象,包括共振脈沖燃燒、定容燃燒和爆震,導致穿過燃燒器的有效壓力上升,而消耗的燃燒量相同。BIS目前無法確認任何正在生產(chǎn)中的引擎使用了這項技術(shù),但目前已經(jīng)有大量研究指向潛在生產(chǎn)。

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