【資料圖】
據(jù)ETNews報道,為了提高新一代NAND閃存的競爭力,三星電子將在2024年升級其NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈,也就是其平澤P1工廠。未來大部分產(chǎn)線將從V6 NAND改為生產(chǎn)更先進(jìn)的V8 NAND。此舉一方面是變相減產(chǎn)以削減過高的V6 NAND庫存,另一方面也是為V8 NAND未來的產(chǎn)能擴展做準(zhǔn)備。報道稱,為了明年徹底改變NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈,各大NAND生產(chǎn)基地都在積極進(jìn)行設(shè)備運行測試。此前,外媒曾報道稱,三星電子的半導(dǎo)體產(chǎn)品庫存今年上半年都有一定程度的增加。在上半年結(jié)束時,該公司旗下設(shè)備解決方案部門的庫存已增至33.69萬億韓元,高于去年年底時的29.06萬億韓元。在今年第二季度的財報電話會議上,三星電子高管表示,該公司計劃下半年繼續(xù)削減存儲芯片的產(chǎn)量,尤其是NAND閃存的產(chǎn)量,以加速庫存正?;I现?,業(yè)界消息人士稱,為了減少NAND庫存,該公司將實施大規(guī)模減產(chǎn),目標(biāo)是到今年年底將庫存降至正常水平,即6-8周。今年8月21日,業(yè)內(nèi)人士透露,三星電子正在將日本東京電子(TEL)的最新設(shè)備引入其位于平澤園區(qū)的第三工廠(P3)的NAND生產(chǎn)線。該公司此次采購的TEL設(shè)備是用于整個半導(dǎo)體工藝的蝕刻設(shè)備。